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东南亚半导体IDM、晶圆代工设厂情况
东南亚聚集了多家IDM、晶圆代工和封测企业，这里共收集了主要企业在东南亚6国的设厂情况：据不完全统计，其中，全球前十大IDM企业中有7家在东南亚设有制造工厂，总数量在25座左右，全球前十大封测企业中也有7家设厂，总数量约11座。东南亚全部电子元器件产能预计占到全球的20%，其中CPU、非易失性存储器和阻容制造占比高出该数值，典型代表是表中所列的英特尔、西数/希捷和三星/村田/太诱。马来西亚：东南
2024-03-26 342
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氧化镓会取代碳化硅吗？一文看懂氧化镓
近来，氧化镓(Ga2O3)作为一种“超宽禁带半导体”材料，得到了持续关注。超宽禁带半导体也属于“第四代半导体”，与第三代半导体碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)相比，氧化镓的禁带宽度达到了4.9eV，高于碳化硅的3.2eV和氮化镓的3.39eV，更宽的禁带宽度意味着电子需要更多的能量从价带跃迁到导带，因此氧化镓具有耐高压、耐高温、大功率、抗辐照等特性。并且，在同等规格下，宽禁带材料可以制造die
2024-07-02 LH 328
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旧闻新看：一文看懂算力核心HBM的技术特点
英伟达最新推出的NVIDIA HGX™ H200，该平台基于NVIDIA Hopper架构，是首款提供HBM3e内存（速率更快、容量更大）的GPU，以加速生成式AI和大语言模型，同时推进HPC工作负载的科学计算。不仅如此，英伟达计划2024年推出Blackwell架构B100 GPU。分析师预期，从B100架构开始，英伟达将采用Chiplet技术，对台积电先进封装将采用CoWoS-L技术。且不止一
2025-01-02 LH 313
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铜互联，还是无法替代？
近日，英特尔在2022 IEEE VLSI 技术和电路研讨会上，展示了许多涉及其Intel 4（10nm）工艺的论文。其中一点就是，新的intel 4选用了铜互连连接。早前英特尔原本打算在10nm芯片互连中采用钴（Co）这种新材料，但是众所周知，英特尔在10nm工艺经历了挫败，业界认为，与钴的集成问题可能是英特尔10nm延迟问题的部分原因。过去我们往往只关心晶体管的大小，但是现在随着芯片微缩逐渐来
2024-03-26 272
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量子和光能超越摩尔吗？
后摩尔时代，全世界的科学家们都在寻找新的计算体系和架构来突破算力瓶颈。量子和光被寄予了厚望，并且在经历了数十年的实验室研究和学术探讨之后，终于开始接近成为一个商业命题。快速退火炉,RTA,RTP,快速退火炉RTP上个月底，美国光量子计算创企PsiQuantum宣布，已完成4.5亿美元的D轮融资。
2022-03-07 量伙Z 229
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传感器国产自主研发趋势下，毫米波雷达中的机会在哪里？（深度分析）
一、毫米波雷达市场规模测算1)整体乘用车市场毫米波雷达的增长不仅来源于雷达配置渗透率的提升，还很大程度上得益于多雷达方案渗透率的快速提升。特别是NOA（Navigate on Autopilot，领航辅助驾驶）、行泊一体的落地以及未来高阶自动驾驶方案的落地，将会直接推动5R（指单车配置毫米波雷达数量为5个）方案安装量的上升。①供应端：国内外Tier1供应商行泊一体方案已大量落地，且已发布多种L3方
2024-08-08 LH 197
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GaN-On-SiC的未来
要说GaN有多火，如果你是手机制造商，不推出一款GaN快充可能会被嘲笑落伍。而在射频领域，GaN更被认为是高功率和高性能应用场景的未来。在SiC衬底上生长出的GaN呢？优秀基因的强强结合能否成就未来的王者？“高规格”市场的枷锁 GaN-On-SiC（碳化硅基氮化镓）结合了SiC优异的导热性和GaN高功率高频
2023-11-25 192
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基于聚焦叉指换能器的环形SAW陀螺仪（MEMS）
声表面波（SAW）陀螺仪利用一种被称为SAW陀螺效应的现象来测量旋转角速度。由于简化了传统MEMS陀螺仪所需的悬浮振动机制，SAW陀螺仪非常适合在恶劣环境中应用。据麦姆斯咨询报道，近期，西北工业大学机电学院常洪龙教授团队首次提出了一种使用聚焦叉指换能器（FIDT）的新型环形驻波模式SAW陀螺仪。传统SAW陀螺仪使用线性IDT产生声表面波，会导致波束偏转和能量耗散，而该研究团队使用FIDT根据结构特
2024-05-06 LH 181
